Přeskočit na hlavní obsah

Otázka č. 3 - Paměťová zařízení

Paměť je nutnost v počítači

procesor čte programy a ukládá své výsledky

Lze rozdělit na:

  • Primární - pracuje s procesorem
  • sekundární - odkládácí místo pro pragramy které teď nutně nepotřebujeme

Parametry

  • frekvence
  • typ
  • napětí
  • datová propustnost
  • vybavovací doba (ns)
  • Kapacita paměti (KB,MB,GB,TB,PB, EB ZB, YB) kilo, mega, giga, tera, peta, exa, zetta, yotta
  • energetická závislost - zda paměť uchovává informace po odpojení zdroje
  • CAS Latency (CLx) – např. CL16 = počet taktů, které musí proběhnout mezi příkazem ke čtení a zpřístupněním dat; nižší číslo = menší latence = rychlejší odezva

princip paměti

  • paměť = matice elektromagnetických prvků = paměťová buňka
  • každá buňka nabívá hodnoty 1/0
  • buňky jsou spojeny řádkovýmí a sloupcovými vodiči jimiž se zapisuje/čte

ROM - read only memory

  • polovodičová

  • informace se neměmí a pouze se čtou

  • ROM paměť není příliš rychlá řády 10ky ns a nastavení se načítá na RAM (shadowing)

  • bývají využívány třebu u nastavení spotřebičů / starších konzolí i BIOS

  • mají malou kapacitu

  • zastaralá

PROM - programmable read only memory

u PROM se data nahrávají až po výrobě paměti používají se k tomu tavné pojistky které je při naprogramování možné přepálit pomocí většího napětí

EPROM - erasable programmable read only memory

mazání pomocí UV světla speciální unipolární tranzistor -> Hradlo FAMOS mazání postupně degraduje paměť zapsání už funguje pomocí napětí které mění nastavení hradla

EEPROM - Electrically Erasable Programmable Read Only Memory

elektronické mazání paměti vylepšení hradla FAMOS počet přepsání je ale stále omezen

FLASH paměť

  • vychází z EEPROM
  • název Flash vychází z rychlosti oproti předchozím modelům
  • SSD, USB, paměťová karta, paměť u telefonů, foťáků i MP3
  • mazání se děje po blocích

RAM - random access memory

  • paměť pracující nejčastěji s procesorem
  • polovodičové paměti které jsou energetický závislé a po vypnutí počítače se paměť ztratí
  • Rychlejší a vyšší kapacita

SRAM - statická RAM

  • bistabilní klopný obvod - náročný, nákladný a nízká kapacita v kB max pár MB
  • jedna paměťová buňka potřebuje více tranzistorů klidně 4 i 6 (označovali se 4-T / 6-T)
  • využívá se tedy jako paměť registru, cache
  • výhoda SRAM je rychlost přístupové doby v jednotkách ns
  • také je energeticky úsporná

DRAM - dynamická RAM

  • paměťová Buňka je tvořena MOS tranzistorem a kondezátorem
  • jestli je kondenzátor nabitý určuje informaci buňky -> nabitá 1/vybitá 0
  • kondík se neustále vybijí a je nutné ho obnovovat (refresh paměti)
  • oproti SRAM je výrazně levnější s mnohem větší kapacitou dnes už v GB
  • přístupová doba je větší (desítky ns)
  • spotřeba je taky vyšší
  • využívá se jako operační paměť, paměť GPU

  • Asynchroní DRAM

    • nevyužívá systémové hodiny
    • je velmi jednoduchá
    • udává se maximální doba zapísu a čtení
  • Synchroní DRAM

    • pracuje synchroně s procesorem pomocí hodinového signálu
    • složitější a samostatnější např. si sama řídí refresh
    • taktovací frekvence
  • DDR SDRAM - double data rate SDRAM

    • dvojnásobná rychlost - data se přenášejí při náběžné hraně tak při sestupné tedy 2 operaci za 1 takt
    FrekvenceNapětíDatová propustnostKapacita
    400MHz2.5V3.2 GB/s64 MB-2 GB

    řídící hodinový impuls

  • DDR2

    • dvakrát rychlejší než minulá generace
    • např. jádro 200MHz tak DDR pracuje na 400MHz a DDR2 na 800MHz
    • DDR2 nejsou zpětně kompatibilní s DDR
    FrekvenceNapětíDatová propustnostKapacita
    1066MHz1.8V8.5 GB/s8 GB
  • DDR3

    FrekvenceNapětíDatová propustnostKapacita
    1600MHz1.4V12.8 GB/s16 GB
  • DDR4

    FrekvenceNapětíDatová propustnostKapacita
    6400MHz1.2V40.6 GB/s128 GB
  • DDR5

    FrekvenceNapětíDatová propustnostKapacita
    8200MHz1.1V37.5-64 GB/s256 GB

ochrana pamětí pomocí rýhy

DDR

  • CMOS - RAM
    • malá spotřeba
    • pro zápis BIOS programem SETUP
    • je napájena baterií v zákl. desce po vypnutí PC
    • integrované hodiny reálného času

RAM moduly

  • DIP - Dual In-line Package - 16-18 pinů připájeny na pevno

DIP

  • SIPP - Single In-Line Pin Package - 30 pinů velmi křehkých

SIPP

  • SIMM - Single In-line Memory Module - 32bit modernější připomíná dnešní + více kontaktů

SIMM

  • DIMM - Dual In-line Memory Module - 64bit odděleny plošky na stranách modulu + varianty (SO-DIMM/MICRO)

DIMM

  • DDR dual channel (zapojení dvou pamětí)

Dual Channel

Logická organizace paměti

paměť využívají

  • aplikace
  • operační systém
  • bios + HW zařízení
  • I/O zařízení
  • apod.

logická organizace paměti = pravidla přidělování paměti

(popis od IBM který je zastaralý ale princip je podobná a je to z prezentace tak by to mohlo být ok)

Paměť je rozdělena na několik částí:

  • Hlavní části:

    • konvenční paměť

      • 0 - 640KB

      • určeno pro programy => vstupně/výstupní část

      • Programovatelná část

        • významná pro 16bit OS ale ne už pro 32bit
        • rezervovány adresy od 1KB a končí 640KB
        • lze najít ovladače
        • ve windowns se načítají pomocí registrů
      • IO paměť

        • rezervován první KB
        • každá část PC má vlastní adresu přes nichž může pracovat s procesorem
        • adresy mají také pravidla a rozlišují se tím díly desky(000-0FF)/rozšíření desky(100-3FF)
        • 2 zařízení nemohou mít stejnou adresu

      IO paměť

    • rezervovaná paměť

      • rezervovány adresy 640KB-1MB
      • A0000 - C7FFF - grafický adaptér
      • F0000 - FFFFF - sysémový BIOS
      • pro technické prostředky počítače

      Rezervovaná Paměť

    • paměť nad 1MB

      • nutný paměťový manažer
        • stránkové (EMM a EMS)
          • přepínač posílá stránkovanou paměť na adresy
        • nestránkové (XMM a XMS)
          • větší sběrnice = více adres
          • není tedy potřeba přepínač

    HlavníČásti